Hünitek - Hacettepe Üniversitesi İleri Teknolojiler Uygulama ve Araştırma Merkezi
Hacettepe Üniversitesi İleri Teknolojiler Uygulama ve Araştırma Merkezi

FIB-SEM


FIB-SEM

 

Marka: Tescan

Model: GAIA3+Oxford XMax 150 EDS

GAIA3, ultra-yüksek çözünürlüklü elektron kolonu ile yüksek performanslı iyon kolonunu tek bir kolonda birleştirmektedir.

Sistem termoiyonik alan emisyonlu elektron tabancasına sahip (field emission gun – FEG) ultra yüksek çözünürlük sunan taramalı elektron kolonu, 30 kV gerilim altında < 2.5 nm çözünürlüğünde Ga iyon kaynağı ve muhtelif dedektörlerden oluşmaktadır. Hassas numunelerin gerek kaplanmadan gerekse vakum altında deforme olmadan incelenebilmesi için düşük vakum koşulları da uygulanabilmektedir. Geniş numune haznesi (200 x 300 mm) ve 5 aks motorize örnek kızağı farklı nitelikteki numunelerin incelenmesine olanak sağlamaktadır.

  • Sistemde bir adet kolon içi, bir adet hazne içi, bir adet de düşük vakum tipi olmak üzere toplam üç adet SE (ikincil elektron) dedektörü bulunmaktadır.
  • Sistemde bir adet kolon içi ve bir adet de hazne içi olmak üzere toplam iki adet BSE (geri saçınan elektron) dedektörü bulunmaktadır.
  • FIB-SEM sistemi, 1-80 keV enerji aralığındaki X-ışını spektrumunu çözümleyebilen bir adet Oxford Xmax 150 Enerji Dağılım X-ışını Spektrometresi (EDS) içermektedir. Son derece geniş yüzey alanı (150 mm2) sayesinde elektron bombardımanına hassas numunelerde bile elementel X-ışınlarını ölçmek mümkündür. Dedektör ile 5B – 92U arası elementlerin kantitatif/kalitatif ölçümlerini sabit bir nokta, alan veya hat üzerinde gerçekleştirmek mümkündür. Bununla birlikte nanometre ölçeğinde elementel dağılımlar haritalanabilir. EDS bileşeni, FIB sırasında analiz yapabilen, otomatik geniş alan haritalaması ve elde ettiği veri setleri üzerinde otomatik faz ayrımı ve morfometrik analiz gerçekleştiren yazılım modülleri ile desteklenmektedir.
  • FIB-SEM sistemi numune üzerinde elektron kolonu çıkışına odaklanmış iyon (Galyum, Ga) kaynağı (Focused Ion Beam, FIB) olarak Tescan COBRA kolonu içermektedir. İyon kaynağı 30 kV gerilim altında < 2.5 nm çözünürlüğünde olup nanofabrikasyon uygulamalarında kullanılabilir. Yüksek enerjili Ga iyonlarının numune yüzeyine yollanması ile numune yüzeyi aşındırılabilir. Nanometre ölçeğinde seri kesitleme yapılabilir ve TEM lameli hazırlanabilir. Belirli bir hacmin seri kesitlenmesi, o hacme ait 3B tomografik veri elde edilmesini sağlar. FIB kolonuna entegre gaz enjeksiyon sistemi ile numune üzerine iletken Pt biriktirilebilir. Bu sayede nanoelektronik devre tasarımları uygulanabilir.
  • Sistem ayrıca elektron bombardımanı sırasında ortaya çıkan fotonların tayini için katodolüminesans (CL), FIB ile hazırlanan TEM lamellerinin de incelenebileceği bir STEM (Scanning Transmission Electron Microscope) dedektörü içermektedir. Bu dedektör ile elektron kaynağının çözünürlüğüne/enerjisine ve numune doğasına bağlı olmak kaydı ile TEM çalışmaları yapabilecektir.
  • Sistem, hazne içi numune ve dedektörlerin etkin temizliği için plazma temizleyici ataçman da içermektedir. Sistem destek biriminde bir adet Leica ACE 600 model Au/Pd/C kaplamaQuorum K850 Kritik Nokta Kurutucu cihazlarıı ve muhtelif örnek hazırlama donanımı bulunmaktadır.

  • Viewed: 332

Hünitek - Hacettepe Üniversitesi İleri Teknolojiler Uygulama ve Araştırma Merkezi

HÜNİTEK'ten Haberler
Hünitek
Hünitek